扬州比亚迪半导体申请逆导型绝缘栅双极型晶体管专利,改善电压回跳

金融界 2025 年 4 月 19 日消息,国家知识产权局信息显示,扬州比亚迪半导体有限公司申请一项名为“3375.逆导型绝缘栅双极型晶体管及其形成方法、芯片和车辆”的专利,公开号 CN119855175A,申请日期为 2024 年 10 月。

专利摘要显示,本申请提供一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其形成方法、芯片和车辆,包括衬底,位于衬底内的第一集电极掺杂区和第二集电极掺杂区,以及位于衬底内的第一短路掺杂区。衬底包括沿第一方向相对的第一表面和第二表面,第二表面暴露出第一集电极掺杂区和第二集电极掺杂区,第二集电极掺杂区包括第一区和第二区,第二区与第一区远离第二表面的一侧接触。第二表面还暴露出第一短路掺杂区,第一短路掺杂区位于第一集电极掺杂区与第一区之间,且第二区与第一短路掺杂区远离第二表面的一侧接触。因此电子需要绕过第二区才能到达第一短路掺杂区,因此在第二区上方形成短路电阻区,增加了短路电阻区的短路电阻,从而实现改善电压回跳的现象。

天眼查资料显示,扬州比亚迪半导体有限公司,成立于2022年,位于扬州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析,扬州比亚迪半导体有限公司参与招投标项目32次,专利信息37条,此外企业还拥有行政许可101个。

本文源自:金融界

作者:情报员

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